Технологии получения нитрида галлия на кремнии на подложках диаметром 200 мм

Компания EpiGaN (Хасселт, Бельгия) успешно начала разработку технологии получения нитрида галлия на кремнии на подложках диаметром 200 мм.

Молодая компания EpiGaN из бельгийского города Хасселт, специализирующаяся на эпитаксии нитридных соединений, недавно приобрела две системы МОС-гидридной эпитаксии (MOCVD) производства компании AIXTRON, позволяющие выращивать эпитаксиальные гетероструктуры на подложках диаметром 6 или 8 дюймов (150 или 200 мм). Эти системы будут использоваться как для коммерческого производства эпитаксиальных пластин нитрида галлия на кремниевых подложках диаметром 150 мм для приборов ВЧ- и силовой электроники, так и для разработки технологии получения эпитаксиальных пластин нитрида галлия на кремниевых подложках диаметром 200 мм.

Компания EpiGaN отделилась от известного бельгийского исследовательского института IMEC в 2010 году. Команда EpiGaN имеет за плечами несколько лет успешной работы в IMEC с эпитаксиальными системами компании AIXTRON со струйным вводом компонентов (Close Coupled Shoverhead в исследованиях структур GaN на кремнии. Поэтому руководство компании убеждено в том, что установки AIXTRON идеально подходят для задач, стоящих перед EpiGaN.

Структуры на основе GaN на кремниевых подложках применяются в ряде мощных высокоэффективных электронных ВЧ устройствах в таких областях, как бытовая электроника, гибридные автомобили и солнечные элементы, беспроводные ВЧ базовые станции и интеллектуальные сети и т.д. Уникальные показатели силовых приборов на основе GaN позволяют значительно повысить эффективность и снизить энергопотребление в системах распределения питания коммуникационного, автомобильного, бытового и вычислительного оборудования.

Пожалуйста, оцените статью:
Ваша оценка: None Средняя: 4.9 (8 votes)
Источник(и):

NanoNewsNet.ru