Международный симпозиум «Физика кристаллов»

С 28 октября по 2 ноября в НИТУ «МИСиС» пройдет международный симпозиум «Физика кристаллов-2013», посвященный 100-летию со дня рождения известного ученого, кристаллографа, доктора физико-математических наук, профессора, основателя кафедры физики кристаллов МИСиС Марианны Петровны Шаскольской.

В организации Симпозиума «Физика кристаллов» участвуют:

  • Научный Совет РАН по физике конденсированных сред,
  • Межгосударственный координационный Совет по физике прочности и пластичности материалов,
  • НИТУ «МИСиС»,
  • Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН,
  • ОАО «Гиредмет» ГНЦ РФ,
  • Институт металловедения и физики металлов ГНЦ РФ «ЦНИИчермет им. И. П. Бардина».

Симпозиум объединит Пятую Международную конференцию «Кристаллофизика 21-го века» и Третьи Московские чтения по проблемам прочности материалов.

Открытие пройдет под председательством директора ГНЦ РФ «Гиредмет» Ю.Н. Пархоменко и директора Института металловедения и физики металлов ГНЦ РФ «ЦНИИчермет» им. И.П. Бардина А.М. Глезера. В открытии Симпозиума примут участие ректор НИТУ «МИСиС» А.А. Черникова, директор «ЦНИИчермет» им. И.П. Бардина К.Л. Косырев, и.о. директора Института кристаллографии РАН В.М. Каневский, президент НИТУ «МИСиС» Ю.С. Карабасов.

Задача конференции — собрать ученыхи производственников, обсудить различные аспекты кристаллофизики, обобщить имеющиеся теоретические и экспериментальные материалы по вопросам развития перспективных кристаллов, предложить новые варианты их получения. Это даст возможность комплексного подхода ученых разных направлений к анализу накопленных результатов. Такой подход к рассмотрению задач дальнейшего расширения сфер применения монокристаллов позволяет определить тенденции развития технологий получения и методов исследования новых материалов.

За прошедшие годы подобная форма анализа результатов и определения перспективных направлений исследований позволила получить результаты, имевшие широкий международный резонанс. Так, в результате намеченных перспективных направлений в получении сцинтилляционных кристаллов вольфрамата свинца в России было организовано производство высококонкурентных кристаллов. В организации производства принимали участие выпускники кафедры кристаллографии, работавшие на заводе г. Богородицка. Это привело к получению по конкурсу крупного заказа на изготовление более 220 тысяч кристаллических датчиков элементарных частиц для Европейского центра ядерных исследований (ЦЕРН, Швейцария) и изготовление детекторов для коллайдера и, в конечном счете, к нахождению нового бозона Хиггса.

Другим не менее удачным примером содружества ученых являются работы научно-производственного центра «Фомос», организованного выпускниками МИСиС, на котором получены высококачественные кристаллы сложных лангаситов, ставшие основой элементной базы микро- и наноэлектроники и акустики. Производство началось после обсуждения перспектив их применения на конференциях и семинарах, проводимых на кафедре. Они пользуются большим спросом в США, Японии, Корее, так как кристаллы являются инновационной разработкой и конкурентоспособны на мировом рынке высокотехнологичных изделий.

В последние годы ученые НИТУ «МИСиС» работают над проектом по созданию активных элементов микро- и наноэлектроники на основе структурированных кристаллических пьезоэлектрических материалов и компонентов систем перемещения. Они могут быть использованы для систем микро и наноперемещений при получении наноразмерных упорядоченных структур для нанолитографии и методов зондового сканирования.

Тематика чтений

  • Структура, распределение дефектов и анизотропия физических свойств кристаллов микро- и наноэлектроники.
  • Влияние дефектов структуры на физико-механические свойства.
  • Процессы пластической деформации и разрушение твердого тела.
  • Влияние внешних физических воздействий на прочность и пластичность кристаллов; фото-, электро-, и магнитопластические эффекты.
  • Интенсивные и мегапластические деформации.
  • Физические основы получения новых функциональных материалов.
  • Композиционные материалы, интерметаллиды и аморфное состояние вещества.
  • Наноматериалы и нанотехнологии в электронике, приборостроении и металлургии.
  • Графены и фуллерены.
  • Кристаллы в квантовой электронике.
  • Проблемы технологии, дефектообразования и применения полупроводниковых материалов.
  • Физика гетероструктур на основе суперионных полупроводников.
  • Управление структурой пьезо- и сегнетоэлектрических кристаллов и расширение областей их применения.
  • Сцинтилляторы и люминофоры в физике высоких энергий.
  • Проблемы качества и сертификации материалов.

Открытие Симпозиума состоится в 15.00 в актовом зале НИТУ МИСиС« по адресу: Москва, Ленинский проспект, 4.


Профессор Марианна Петровна Шаскольская

Выдающийся российский ученый в области кристаллофизики, теории дислокаций, физики прочности и пластичности, основатель кафедры «Кристаллографии» в МИСиС, педагог и популяризатор науки, писатель, автор более 200 научных трудов и 20 книг, переводчик и редактор более 20 научных монографий зарубежных авторов.

В 1988 г. по решению ЮНЕСКО имя М.П. Шаскольской внесено в сборник «47 выдающихся женщин-физиков мира».

Памяти М.П. Шаскольской университет МИСиС провел четыре Международные Конференции по физике кристаллов «Кристаллофизика 21-го века» в 1998 и 2003 г. — в Москве, в 2006 г. — в Черноголовке, в 2010 г. — в Москве совместно с Национальной конференцией по росту кристаллов.

О кристаллофизике как науке

Современная наука о материалах во многом базируется на изучении кристаллического состояния вещества и поэтому получила название «Физика кристаллов» или сокращенно «Кристаллофизика».

Кристаллофизика рассматривает не столько идеальную структуру кристаллического состояния вещества, так называемого монокристалла, сколько его реальную структуру, т.к. именно она определяет физические и химические свойства. Дефекты, примеси, кластеры, активные центры определяют фундаментальные характеристики таких структур. Эта структурная чувствительность кристаллов позволяет управлять и задавать их свойства как на стадии их роста, так и с помощью различного вида внешних воздействий на структуру: облучения, механической деформации, измельчения, отжига, структурирования и прочих. Эффективность воздействий увеличивается при переходе от микромасштаба управления кристаллической решеткой к наноструктурному управлению свойствами.

Сформировались две области применения монокристаллов: приборостроение и конструкционное материаловедение. В приборостроении кристаллы получили распространение в качестве элементов электронной и квантовой электроники. Например, полупроводниковых элементов и пленок — процессоры, датчики, элементы солнечной энергетики, акустические и оптические преобразователи и пр.; оптических и лазерных элементов и систем преобразования света, подложек интегральных схем и светодиодов, детекторов радиации и элементарных частиц, пьезоэлектрических элементов и др. Невозможно представить себе существование и развитие всех этих направлений без применения кристаллов.

В конструкционном материаловедении монокристаллы, в силу высокой термохимической и термомеханической прочности, получили применение в атомной, аэрокосмической, электронной, медицинской и других областях.

Эти направления применения остаются актуальными, поэтому продолжается поиск новых кристаллических материалов и изучение процессов формирования и управления реальной структуры кристаллов.

Начиная с 1998 года, на кафедре физики кристаллов, затем на объединенной кафедре материаловедения полупроводников и диэлектриков МИСиС, было проведено активное обсуждение реальных проблем микро- и наноэлектроники в материаловедении кристаллических полупроводников и диэлектриков. Для этого было организовано четыре Международные конференции по физике кристаллов «Кристаллофизика 21-века» и несколько Всероссийских координационных семинаров по вопросам перспектив применения кристаллов для акусто- и оптоэлектроники, сцинтилляционной техники. Конференции проводятся совместно с Академией наук РФ: в 2010 г. с Институтом Кристаллографии и Институтом Ядерной физики; в 2006г. с Институтом Проблем материаловедения.

Пожалуйста, оцените статью:
Ваша оценка: None Средняя: 4.5 (2 votes)
Источник(и):

Внешняя пресс-служба НИТУ «МИСиС»

rusnanonet.ru