Дорогие читатели, Нашему шестнадцатилетнему, волонтёрскому и некоммерческому проекту для создания новой, современной версии N-N-N.ru, очень нужно посоветоваться касательно платформы нашего сайта – SYMFONY & DRUPAL 8. Платформа не простая, но обещаем – мы не займём много времени, просто нужна консультационная поддержка квалифицированного разраба. Если вы можете помочь, то связаться с нами можно на страницах Facebook.com здесь и здесь.

Новая технология литографии с разрешением 25 нанометров

-->

Создана технология литографии с разрешением 25 нанометров

Массачусетский технологический институт в лице Марка Шаттенберга и Ральфа Хелманна подарил миру надежду на скорое распространение нового метода литографии для индустрии нанотехнологий. Метод отличается тем, что позволяет получать с помощью травления периодические структуры на подложке размер которых может составлять всего 25 нанометров. Самые передовые технологии, которыми пользуются гиганты индустрии микропроцессоров, позволяют в наши дни работать с размерами от 65 нанометров.

Mark_Schattenburg.jpg

Dr. Mark Schattenburg

Ralf_Heilmann.jpg

Dr. Ralf Heilmann

Технология, разработанная бостонскими специалистами и их подопечными студентами, не только позволяет уже сегодня получать периодические наноструктуры с размером, анонсированным традиционными методиками лишь к 2015 году. Она существенно проще и дешевле в реализации, а потому может вдохнуть вторую жизнь в наноразработки многих университетов, чахнущих в лабораториях, не имеющих могучей финансовой поддержки.

  • Новая технология получила название сканирующей лучевой интерференционной литографии (scanning-beam interference lithography, SBIL). Она базируется на известной технологии интерференционной литографии, которую ученые дополнили применением своей собственной разработки, названной нанолинейкой. Технология подразумевает использование звуковых волн с частотой 100 МГц для контроля, дифракции и частотного сдвига волны лазерного излучения, создающего литографический рисунок на поверхности подложки.

В результате можно быстро, легко, дешево и очень точно осуществлять литографию даже очень больших поверхностей.

  • Разработчики, представившие свои достижения для публикации в следующем номере журнала Optic Letters и на 52-й ежегодной Международной конференции по электронным, ионным и фотонным лучевым технологиям и нанопроизводству в американском городе Портленде. Они уверены, что их технология позволяет добиться предельного разрешения литографии, и дальнейшее уменьшение элементов нанострструктур будет лимитироваться неровностями материала подложки.

http://www.gazeta.ru/…241161.shtml

Nanoscale Lithographic Technology: Finer Lines For Microchips

http://www.sciencedaily.com/…08124353.htm

MIT reports finer lines for microchips

http://www.nanotech-now.com/news.cgi?…

Да уж… Получение размерностей всего 25 нанометров, в то время как самые передовые технологии, которыми пользуются гиганты индустрии микропроцессоров, позволяют в наши дни работать с размерами от 65 нанометров. Это круто! Если этот факт подтвердится, то это станет сенсацией и огромным прорывом в области нанотехнологий!.. Надо бы и нашим специалистам подсуетиться в данном вопросе. А то потом уже не догонишь…

Опубликовано в NanoWeek,




nikst аватар

25 нм: кто меньше?

Американские ученые нашли способ существенно уменьшить размер микросхем

  • Ученые из Массачусетского технологического института (MIT) нашли способ с помощью нанотехнологий существенно уменьшить размеры компьютерных микросхем. Такие схемы будут дешевле и мощнее существующих.

Новая технология даст возможность производить микросхемы с размером элементов в 25 нм. Это большой шаг вперед, если вспомнить, что только в прошлом году компания Intel перешла с 65-нм технологического процесса на 45-нм процесс. 32-нм процессоры в Intel планируют выпустить в 2009 году. А 25 нм – это еще на одну ступень ниже.

«Задача заключается в создании еще меньших элементов, – пояснил научный сотрудник MIT Ральф Хейльманн. – Ядро интегральной микросхемы состоит из цепей и транзисторов – чем меньше они по размеру, тем быстрее они работают и тем большее число их можно разместить на одной схеме. Уменьшение позволяет одновременно сделать их и быстрее, и дешевле».

Институт запатентовал данный способ и, по словам Хейльманна, некоторые производители (он не уточнил, кто именно) уже проявляют к нему интерес.

Пошли другим путем

В технологии применяется наноуровневая литография, позволяющая нанести на микросхему еще более мелкую сеть линий, из которых складываются цепи схемы. В традиционном методе оптической литографии для переноса шаблона сетки на схему используется свет. Чтобы расположить линии сетки ближе друг к другу, производители микросхем пытались использовать более короткие длины волн.

«Но у этого метода тоже есть свои пределы», – пояснил Хейльманн.

Исследователи из MIT пошли по другому пути. Вначале они с помощью длинноволнового света наносят на схему сетку с масштабом 200 нм. А затем тот же самый шаблон просто немного сдвигается, по нему наносятся новые линии, а пространство между ними делится пополам. Процесс повторяется несколько раз, и масштаб сетки доводится до 25 нм.

  • Такой способ позволяет в четыре раза повысить плотность расположения линий шаблона и разместить на схеме в четыре раза больше элементов – проводников, транзисторов и так далее.

Ускорение вместе с уменьшением

«Одновременное ускорение работы схемы и уменьшение ее размеров дает большой скачок производительности, – заявил главный аналитик фирмы Gabriel Consulting Group Дэн Олдс. – С точки зрения стоимости и результатов этот способ уменьшения масштабов схем за пределы 32 нм работает вроде бы неплохо… и это очень интересная разработка с далеко идущими последствиями. Главное, что их метод работает на переднем крае производительности – менее 45 нм,а не просто удешевляет производство устаревших микросхем».

  • По мнению Хейльманна, данный процесс можно адаптировать и к производству схем с масштабом менее 25 нм. «Такая возможность, безусловно, есть», – заявил он.

Работа над проектом велась в Лаборатории космических нанотехнологий Института астрофизики и исследований космоса им. Кавли Массачусетского технологического института. Финансовую поддержку работе оказали NASA и Национальный научный фонд (National Science Foundation).

Шэрон Годин

http://www.osp.ru/…/27/5228795/