Дорогие читатели, Нашему шестнадцатилетнему, волонтёрскому и некоммерческому проекту для создания новой, современной версии N-N-N.ru, очень нужно посоветоваться касательно платформы нашего сайта – SYMFONY & DRUPAL 8. Платформа не простая, но обещаем – мы не займём много времени, просто нужна консультационная поддержка квалифицированного разраба. Если вы можете помочь, то связаться с нами можно на страницах Facebook.com здесь и здесь.

Гибриды nano-CMOS появятся в 2010 году

-->

Компания Hewlett-Packard сегодня объявила об исследовании, которое может внести революционное нововведение в микроэлектронику.

Суть исследования HP заключается в создании массивов программируемых полевых транзисторов (field programmable gate arrays  – FPGAs), плотность упаковки которых в восемь раз превышает современные CMOS аналоги. При этом суммарная рассеиваемая мощность устройств будет значительно ниже, поэтому к производителей микроэлектронных компонентов есть возможность делать процессоры и чипы памяти еще меньше.

Фундамент для развития этой технологии HP заложила несколько лет назад, когда были созданы кросс-матрицы из нанопроводников, в котором каждое пересечение нанонитей формировало нанотранзстор.

Год назад, когда компания НР опубликовала результаты исследования Дмитрия Струкова (Dmitri Strukov) и Константина Лихарева (Konstantin Likharev) из Университета Стони Брук, Нью-Йорк (Stony Brook University in New York), научное сообщество было удивлено возможностями и перспективами наноэлектроники. Тогда же НР продемонстрировала план развития наноэлектроники к 2010 году, который постепенно подтверждается достижениями компании.

Матрица квантовых ключей, представленная в прошлом году, изменилась на «программируемое соединение нанопроводников» – field programmable nanowire interconnect (FPNI), на основе которого Грэг Снайдер (Greg Snider) и Стэн Уильямс (Stan Williams) разработали архитектуру построения чипов и логики.

Ученые представили также работоспособный чип, использующий 15-нм нанотранзисторы, сформированные матрицей перекрещивающихся нитей, соединенных с 45-нм CMOS электроникой. Как говорят ученые, чипы на этой основе могут поступить в массовое производство уже в 2010 году.

Благодаря гибридизации CMOS и FPNI полученные чипы в четыре раза меньше, чем их простые CMOS-аналоги. Стэн считает, что будущее – за распараллеливанием чипов, благодаря уменьшению гибридных компонентов.

Грэг и Стэн также представили прототип чипа, работающего на 4,5-нанометровых FPNI соединениях, однако их массовое применение в микроэлектронике может наступить только в 2020 году.

Крайне важно также то, что чипы по FPGA-технологии и модифицированной FPNI можно будет производить на обычных производственных линиях CMOS-микроэлектроники, незначительно их модернизовав.

Пожалуйста, оцените статью:
Пока нет голосов
Источник(и):

PhysOrg: Hybrid nano-CMOS chips could be far denser, but cooler