Дорогие читатели, Нашему шестнадцатилетнему, волонтёрскому и некоммерческому проекту для создания новой, современной версии N-N-N.ru, очень нужно посоветоваться касательно платформы нашего сайта – SYMFONY & DRUPAL 8. Платформа не простая, но обещаем – мы не займём много времени, просто нужна консультационная поддержка квалифицированного разраба. Если вы можете помочь, то связаться с нами можно на страницах Facebook.com здесь и здесь.

Созданы сборные наносегнетоэлектрики

Исследовательская группа во главе с ученым из Международного центра наноархитектоники материалов Национального института материаловедения Японии (MANA) доктором Минору Осада (Minoru Osada) и ведущим исследователем доктором Такиоши Сасаки (Takayoshi Sasaki) разработали новый наносегнетоэлектрик, основываясь на подходе снизу-вверх.

Материалы-сегнетоэлектрики (ферроэлектрики) представляют собой вид диэлектриков, обладающих самопроизвольным и обратимым электрическим дипольным моментом, когда электрическая поляризация остается после применения и выключения внешнего электрического поля, поэтому сегнетоэлектрики могут работать в качестве энергонезависимой памяти, представляя «0» в одном положении и «1» в другом. Память на сегнетоэлектриках (FeRAM) характеризуется высокой скоростью, износоустойчивостью в режиме записи, малым расходом энергии, отсутствием нестабильности и превосходной защитой от несанкционированного доступа.

sss.jpg Рис. 1. Искусственная сверхструктура из нанолистов перовскита (A=Ca2Nb3O10, B=LaNb2O7).

Она идеально подходит для смарт-карт (пластиковых карт со встроенной микросхемой), сотовых телефонов и прочих устройств. В связи с продолжающимся уменьшением микросхем и растущим интересом к микропленкам для FeRAM, все больше внимания привлекают сегнетоэлектрические наноструктуры и нанопленки. До недавнего времени было технологически сложно стабилизировать сегнетоэлектричество на наноуровне.

Пытаясь создать новые наносегнетоэлектрики, исследовательская группа создала сверхрешеточный слой, используя в качестве строительных блоков молекулярно тонкие нанолисты оксида. Группа синтезировала два различных нанолиста перовскита (Ca2Nb3O10, LaNb2O7) и изготовила искусственную сверхструктуру, укладывая листы попеременно, по правилам послойной сборки. Группа обнаружила, что, в отличие от параэлектрической природы Ca2Nb3O10 и LaNb2O7, их сочетание в рамках сверхструктуры дает новую форму граничного сцепления. Данный эффект может лечь в основу сегнетоэлектриков, работающих при комнатной температуре.

Искусственная сверхструктура сохраняла устойчивые сегнетоэлектрические свойства даже при толщине в несколько нанометров. Это открытие имеет большой потенциал в области рационального проектирования и конструирования наносегнетоэлектриков, а также покажет новые пути для разработки безсвинцовых сегнетоэлектрических устройств, необходимых будущему электронному оборудованию.

Пожалуйста, оцените статью:
Ваша оценка: None Средняя: 3.3 (3 votes)
Источник(и):

1. physorg.com

2. popnano.ru