Дорогие читатели, Нашему шестнадцатилетнему, волонтёрскому и некоммерческому проекту для создания новой, современной версии N-N-N.ru, очень нужно посоветоваться касательно платформы нашего сайта – SYMFONY & DRUPAL 8. Платформа не простая, но обещаем – мы не займём много времени, просто нужна консультационная поддержка квалифицированного разраба. Если вы можете помочь, то связаться с нами можно на страницах Facebook.com здесь и здесь.

Вышел 1-2 номер журнала «Российские нанотехнологии»

Из печати вышел первый 1–2 номер журнала «Российские нанотехнологии» за 2014 год.

В номере опубликована работа О.А. Агеева и др., где представлены результаты разработки математической модели расчета двумерного рельефа поверхности подложки при травлении фокусированным ионным пучком. Проведен вычислительный эксперимент по расчету двумерного рельефа подложки при воздействии фокусированного ионного пучка. Разработаны алгоритм расчета рельефа поверхности при травлении с учетом эффекта переосаждения распыленного материала и программное обеспечение, позволяющее прогнозировать параметры рельефа поверхности подложки в зависимости от параметров ионного пучка и сканирующей системы. Адекватность разработанной модели подтверждена сравнением с результатами экспериментальных исследований.

Процессы переключения поляризации и создания поляризованного состояния в тонких сегнетоэлектрических пленках толщиной меньше 100 нм по-прежнему остаются малоисследованными. В статье В.М. Мухортова и др. исследовано переключение поляризации сегнетоэлектрических тонких пленок Ba0.8Sr0.2TiO3 толщиной 2–150 нм, осажденных на Si(111) с Pt подслоем. Критическим параметром при переключении поляризации является площадь сегнетоэлектрического кристаллита. Пленки толщиной 2 нм обладают сегнетоэлектрическими свойствами.

В работе Г.Л. Пахомова и др. получены прототипы органических фотовольтаических ячеек на основе планарного гетероперехода «субфталоцианин/фуллерен» на гибких полимерных подложках. Измерены вольт-амперные характеристики в темноте и при освещении, рассчитаны основные параметры фотопреобразования. Показано, что введение верхнего (подкатодного) ультратонкого барьерного слоя, образованного молекулами Alq3, позволяет значительно уменьшить паразитные сопротивления в ячейке, что приводит к росту коэффициента заполнения до 55%. При осаждении буферного слоя InClPc на поверхность анода (ITO) э.д.с. холостого хода ячеек увеличивается с 0.47 до 0.83 В. Наибольшая эффективность фотопреобразования достигнута в ячейках с двумя интерфейсными слоями (~1%).

Пожалуйста, оцените статью:
Пока нет голосов
Источник(и):

ООО «Парк-Медиа»

rusnanonet.ru