Дорогие читатели, Нашему шестнадцатилетнему, волонтёрскому и некоммерческому проекту для создания новой, современной версии N-N-N.ru, очень нужно посоветоваться касательно платформы нашего сайта – SYMFONY & DRUPAL 8. Платформа не простая, но обещаем – мы не займём много времени, просто нужна консультационная поддержка квалифицированного разраба. Если вы можете помочь, то связаться с нами можно на страницах Facebook.com здесь и здесь.

Портфельная компания РОСНАНО ООО «Крокус НаноЭлектроника» и МФТИ объединяют усилия в разработке новой технологии магнитной памяти STT-MRAM

ООО «Крокус НаноЭлектроника» (КНЭ) и Московский Физико-Технический Институт, Государственный Университет (МФТИ) объявляют о начале совместной исследовательской программы по разработке и апробации технологии производства магнитной памяти нового поколения STT-MRAM. Партнеры направят свои усилия на разработку новых материалов, дизайн устройств, а также разработку методов их контроля и моделирования. Успешная реализация программы позволит создать условия для производства продуктов, использующих технологию STT-MRAM, на мощностях КНЭ.

Магнитная технология Spin-Transfer Torque Magnetic Random Access Memory (STT-MRAM) использует «перенос спина» для перезаписи ячеек памяти. Применение этого эффекта в традиционной магниторезистивной памяти позволяет уменьшить величину тока, необходимую для записи информации в ячейку, а также использовать техпроцесс от 90 до 22 нанометров и ниже. На сегодня все крупнейшие производители динамической оперативной памяти DRAM имеют свои программы STT-MRAM — данная технология считается основным кандидатом на замещение DRAM в ближайшем будущем.

«Крокус НаноЭлектроника» — единственная в Европе и одна из немногих в мире коммерческая площадка для производства памяти и сенсоров на основе магнитных туннельных структур, по топологической норме до 90/65 нанометров на пластинах диаметром 300 мм.

«Производственные мощности нашей компании идеально подходят для создания встроенных или дискретных продуктов на основе STT-MRAM. Мы ожидаем, что в ближайшее время у этой технологии появится большой рынок — этому поспособствует превосходство STT-MRAM по таким показателям, как количество циклов перезаписи, скорость и энергопотребление. Поэтому мы возлагаем большие надежды на эту программу», — отмечает генеральный директор «Крокус НаноЭлектроника» Олег Сютин.

Заместитель заведующего лабораторией физики магнитных гетероструктур и спинтроники для энергосберегающих информационных технологий и руководитель работ от МФТИ Дмитрий Лещинер: «В МФТИ наработана уникальная экспертиза в исследовании новых материалов и структур для микроэлектроники. В частности, в нашей лаборатории развиты одни из самых мощных методов моделирования магнитной памяти, созданы уникальные экспериментальные стенды для исследования материалов и устройств спинтроники. Мы ожидаем, что наш вклад и совместные усилия позволят КНЭ запустить производство STT-MRAM памяти в России в самое короткое время».

Пожалуйста, оцените статью:
Ваша оценка: None Средняя: 5 (1 vote)
Источник(и):

РОСНАНО