Дорогие читатели, Нашему шестнадцатилетнему, волонтёрскому и некоммерческому проекту для создания новой, современной версии N-N-N.ru, очень нужно посоветоваться касательно платформы нашего сайта – SYMFONY & DRUPAL 8. Платформа не простая, но обещаем – мы не займём много времени, просто нужна консультационная поддержка квалифицированного разраба. Если вы можете помочь, то связаться с нами можно на страницах Facebook.com здесь и здесь.

Нанополоски графена интегрировали в транзистор

Швейцарская федеральная лаборатория материаловедения, Empa, при поддержке Института полимерных исследований в Майнце (Германия) и Калифорнийского университета (UC Berkeley) смогла синтезировать полупроводящую разновидность графена, имеющую вид полоски шириной в девять атомов (~1 нм) и длиной до 50 нм с характерной ступенчатой (armchair) формой кромки.

Такая структура, полученная в несколько этапов осаждением в глубоком вакууме на золотую подложку, имеет довольно большую и чётко выраженную запрещённую зону. Это позволило авторам исследования сделать ещё один шаг и встроить графеновые полоски в нанотранзисторы.

Проблему малого соотношения токов во включенном и выключенном состояниях швейцарские физики решили заменой диэлектрика с оксида кремния на оксид гафния. Благодаря этому толщину изолирующего слоя (соединяет полупроводниковые слои с электрическим контактом выключателя) удалось уменьшить с 50 до 1,5 нм, а ток через открытый транзистор вырос на порядки.

В дальнейшем предполагается выстраивать графеновые нанополоски точно вдоль канала транзистора. Сейчас они наносятся на подложку крест-накрест, что даёт большое количество нефункционирующих транзисторов.

graph-nano.jpg
Пожалуйста, оцените статью:
Ваша оценка: None Средняя: 3 (3 votes)
Источник(и):

ko.com.ua