Дорогие читатели, Нашему шестнадцатилетнему, волонтёрскому и некоммерческому проекту для создания новой, современной версии N-N-N.ru, очень нужно посоветоваться касательно платформы нашего сайта – SYMFONY & DRUPAL 8. Платформа не простая, но обещаем – мы не займём много времени, просто нужна консультационная поддержка квалифицированного разраба. Если вы можете помочь, то связаться с нами можно на страницах Facebook.com здесь и здесь.

Создан транзистор-рекордсмен из оксида галлия

Немецкие инженеры разработали полевой транзистор на основе оксида галлия с пробивным напряжением 1,8 кВ и рекордной добротностью — 155 МВт на квадратный сантиметр. Такие показатели приближают элемент к теоретическому лимиту оксида галлия.

Электронные компоненты незаменимы для цифровой революции, и должны становиться все меньше, экономичнее в потреблении энергии и эффективнее. Однако традиционные транзисторы приближаются к пределу своих возможностей. Ученые всего мира ищут новые материалы, которые бы лучше отвечали новым требованиям. Недавно физики из Института им. Фердинанда Брауна добились прорыва в создании транзисторов на оксиде галлия (бета-Ga2O3), пишет Science Daily.

Полевой униполярный МОП-транзистор обеспечивают высокое напряжение пробоя в сочетании с высокой проводимостью. Пробивное напряжение 1,8 кВ и добротность в размере 155 МВт на кв. см — это почти теоретический максимум для оксида галлия. В то же время, достигнутая сила поля пробоя значительно выше, чем у современных полупроводников с широкой запрещенной зоной (бандгапом), например, из карбида кремния или нитрида галлия.

Достичь таких улучшений ученые смогли благодаря слоистой структуре и топологии вентиля. В результате плотность дефектов была снижена, а электрические свойства улучшились. Это привело к более низкому сопротивлению в открытом состоянии.

Пожалуйста, оцените статью:
Ваша оценка: None Средняя: 4.4 (7 votes)
Источник(и):

ХайТек+